保利协鑫GCL展出高效鑫多晶、鑫单晶硅片产品

世纪新能源网 www.halfemptyllc.com  (记者孙文艳、张松)现场报道

3月21日，Asiasolar 2012 第七届亚洲太阳展览会现场，世界多晶硅巨头，中国多晶硅领导企业保利协鑫能源控股有限公司盛装出席2012Asiasolar亚洲太阳能光伏工业展会。保利协鑫展位号：1B02

展会现场保利协鑫展出高效多晶硅片“鑫多晶”。据保利协鑫销售人员向世纪新能源网介绍鑫多晶硅片效率达到17.6%，与普通多晶硅片相比，鑫多晶优化了微观结构，精确控制了位错、层错、晶界等晶体缺陷，并且鑫多晶将帮助光伏发电成本降低2%以上。

“鑫多晶”硅片制作的太阳能电池组件
保利协鑫的鑫多晶组件可达270W以上，同时鑫单晶组件可达285W以上

同时展出类单晶产品“鑫单晶”，据了解，“鑫单晶”转换效率接近传统直拉硅单晶，最高测得18.5%。同时“鑫单晶”光衰率远优于直拉硅单晶，平均低1个百分点以上。“鑫单晶”另一显著特点是其低成本。其生产成本远低于直拉单晶硅，而与定向凝固多晶硅锭生产成本相近。高质量，低成本，采用“鑫单晶”的高功率电池和组件，可以降低太阳能发电成本10%以上，大大地提高了后续组件产品的竞争力。

保利协鑫工作人员向客户介绍产品