三垦电气开发出使用硅底板的GaN制SBD和FET

　　三垦电气开发成功了使用硅底板的肖特基二极管（SBD）和常闭型的FET（场效应晶体管），并确认可在电源电路上正常工作。而且还使用这两个元件，驱动了功率因数校正器（PFC）。

　　GaN作为性能优良的新一代功率半导体，与SiC同样备受关注。GaN的绝缘破坏电场大约比硅大1位数。因此，有望同时实现高耐压和低导通电阻。耐压方面，FET和SBD均为800V。

　　由于导通电阻小，因此用于电源电路的话，可减小电力损失。FET的导通电阻仅为3mΩcm2。为硅制MOSFET的1/50。配备在TO-3PF封装上时，耐压相同的情况下，导通电阻可降至10mΩ以下。另外，GaN与硅相比导热率高并且散热性良好，因此有望实现冷却装置的小型化。

　　备受期待的GaN元件在电源电路上的应用还存在诸多课题。首先，在GaN元件的制造过程中使用的GaN底板价格昂贵，难以实现GaN元件的低成本化。因此，三垦电气为降低成本，不在GaN底板上，而是在硅底板上制造GaN元件。虽然在硅底板上制备GaN结晶还比较困难，但该公司通过自主开发的成长技术和新元件构造，试制出了GaN元件。

　　另外FET方面，在不加载栅极电压的情况下，难以实现电流不流动的常闭型。当停止电源电路的工作时，为不使电路带电，需要进行常闭操作。因此，通过改进元件构造，实现了阈值电压+1V的常闭型FET。

　　实现GaN元件的产品化尚未决定。今后，目标为用于消费类设备、产业设备的逆变器、UPS、直流电源装置、电动汽车以及混合动力车等，计划通过提高GaN元件的性能和开发应用技术来实现其产品化。

　　另外，三垦电气计划在“CEATEC JAPAN 2008”（2008年9月30日～10月4日，幕张Messe）上，展出此次的开发产品。