世纪新能源网消息:1月21日,大功率IGBT产业化建设工程主体混凝土封顶仪式在株洲南车时代电气股份有限公司举行,这标志着该项目顺利完成了首个里程碑节点,保障了项目建设进度,为实现2013年底投入试生产的总目标打下了坚实基础。株洲所副总经理曾鸿平、大功率半导体器件IGBT产业化建设项目建设总指挥彭华文等出席了封顶仪式。
大功率IGBT产业化建设项目于2010年启动,2012年7月初完成项目用地交付并进入实体建设阶段。项目拟建设一条年产12万片的8英寸IGBT芯片产业化生产线,以及其配套的高标准净化芯片制造及封装、测试厂房及其附属设施,建成后将可实现生产600V-6500V IGBT/FRD芯片,并配套形成年产30万只中高压模块的封装及测试能力,形成从芯片设计-模块封装-系统应用的完整产业链,实现南车在电力电子器件方面的技术升级及产业整体竞争力的全面提升。项目的实施将改变我国在重大战略性产业中技术受制于人、产品依赖进口的不利局面,提升我国轨道交通、新能源、电动汽车、智能电网等重大装备制造业的核心竞争力,因此受到了国家及政府的高度重视,先后被列为国家发改委、科技部、湖南省及株洲市重点项目。
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